IDEALNY PRZEŁĄCZNIK Z SiC JFET WG POWER ELECTRONIC NEWS DECEMBER 2022

nr katalogowy: 142119

Tranzystory SiC JFET (z węglika krzemu – SiC) są solidne, charakteryzują się wysoką odpornością zwarcia oraz znacznie przewyższają wszystkie inne rozwiązania pod względem rezystancji w stanie włączenia. Ta zaleta bezpośrednio odnosi się do praktycznej wydajności przełącznika i jego ekonomiczności, przy większej liczbie kości na płytkę przy porównywalnej wydajności niż w przypadku konkurencyjnych wykonań. CZY MOŻEMY JESZCZE LEPIEJ? Kaskody SiC firmy United SiC (obecnie Qorvo) mają znaczną przewagę w wielu zastosowaniach, ale czy mogą być lepsze? Element zawiera SiC JFET i Si-MOSFET w układzie kaskodowym w celu uzyskania charakterystyki normalnie wyłączonej. Kaskoda jest tworzona jak na rysunku, gdzie Si-MOSFET przełącza źródło SiC JFET, także wówczas gdy Si-MOSFET jest wyłączony, źródło JFET jest spolaryzowane dodatnio, wyłączając JFET. Gdy MOSFET […]